InGaAs焦平面探测器电串音性能的研究

• 作者: 张月蘅 李冬雪 李淘 李雪 沈文忠 王天盟
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: In0.53Ga0.47As/InP焦平面阵列 电串音 平面结构 台面结构
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 641-646
• 页数: 6页
• 分类号: TN215
• 字数: 611字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2015.06.001

摘要

串音与焦平面阵列(FPA)的灵敏度和分辨率密切相关.用模拟的方法定量地计算了In0.53 Ga0.47As/InP探测器焦平面阵列的电串音随光波波长、入射方向和台面的刻蚀深度的变化情况.结果显示台面结构的器件的串音抑制性能比平面结构的要好.明显地发现短波长的光串音较小,正照射的串音比背照射要小,这是由材料吸收深度和异质结耗尽层宽度的影响造成的.另外,当台面的刻蚀深度穿透吸收层厚度时,其电串扰几乎完全被抑制.研究结果提出了相应的InGaAs FPA的低串音设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈文忠	上海交通大学物理与天文系人工结构及量子调控教育部重点实验室	35	210	7.0	13.0
2	李雪	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	64	465	12.0	19.0
3	张月蘅	上海交通大学物理与天文系人工结构及量子调控教育部重点实验室	6	10	3.0	3.0
4	李冬雪	上海交通大学物理与天文系人工结构及量子调控教育部重点实验室	1	3	1.0	1.0
5	王天盟	上海交通大学物理与天文系人工结构及量子调控教育部重点实验室	2	4	1.0	2.0