超薄体MOSFETs和FinFETS基础

• 作者: Jerry G. Fossum 社利东
• 来源期刊: 国外科技新书评介
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFETS 金属氧化物半导体场效应晶体管 基础 超薄 数据存储容量 通信网络化 信息技术 传输速率
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 页码范围: 14-14
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

基于计算机与通信网络化的信息技术对芯片的性能提出了更高的要求，希望芯片具有更快的处理速度、更大的数据存储容量和更高的传输速率，经典的MOS。FET（金属氧化物半导体场效应晶体管）已经难以满足发展需求。目前，

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	社利东	中国科学院电子学研究所	1	0	0.0	0.0