基于NEDI砷化镓肖特基二极管的D波段和G波段倍频源

• 作者: 吴刚 周明 姚常飞 寇亚男 李姣 林罡 王继财 罗运生 许从海
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太赫兹 GaAs肖特基二极管 倍频器
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 256-262
• 页数: 7页
• 分类号: TN77
• 字数: 3520字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2014.00256

摘要

基于南京电子器件研究所(NEDI)的GaAs工艺线,通过分析器件的有源层(缓冲层、外延层)材料掺杂浓度和厚度、肖特基接触面积等,综合优化二极管性能,研制出了截止频率为3.2 THz的太赫兹变阻二极管.基于该二极管,通过建立其三维场结构,采用电磁场和电路仿真软件相结合的方法,一体化设计匹配电路和器件,研制出了D波段和G波段倍频源.D波段二倍频器在152.6 GHz测得最高倍频效率为2.7％,在147.4～155 GHz效率典型值为1.3％.G波段二倍频器在172 GHz测得最高倍频效率为2.1％,在150～200 GHz效率典型值为1.0％.