基于IBC太阳电池的二氧化硅掩膜研究

• 作者: 姜辰明 李力 沈辉 黄铭
• 来源期刊: 中山大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: IBC太阳电池 二氧化硅掩膜 方阻 少子寿命 ECV
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 29-31,38
• 页数: 4页
• 分类号: TK51
• 字数: 1591字
• 语种: 中文

摘要

在叉指状背接触太阳电池（IBC电池）的制作过程中，一种办法是以二氧化硅作为掩膜阻挡磷扩散进入已经扩硼的区域，在有二氧化硅保护的区域，p＋区保持不变，在没有二氧化硅保护的地方磷扩散进入形成n＋背表面场，从而实现在不同区域的不同扩散。该文是研究在不同的的温度下热氧化得到的二氧化硅氧化层的厚度，厚度从0 nm到124 nm，然后通过测量磷扩散前后方阻变化和ECV图像，研究不同厚度下的二氧化硅掩膜对磷扩散的阻挡作用。同时，还测量了在不同情况下硅片的少子寿命，以确定一个最佳的热氧化二氧化硅工艺，为IBC电池工艺的后续研究提供参考。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈辉	中山大学太阳能系统研究所	121	1808	24.0	37.0
2	李力	中山大学太阳能系统研究所	5	9	1.0	3.0
3	姜辰明	中山大学太阳能系统研究所	4	9	2.0	3.0
4	黄铭	中山大学太阳能系统研究所	1	1	1.0	1.0