新型TFT-LCD黑矩阵的细线化研究

• 作者: 代伟男 刘华 卢兵 朱凤稚 柳星 罗峰 范峻 靳福江
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 黑矩阵 线宽 相位移掩膜板 背面曝光
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 器件物理及器件制备技术
• 页码范围: 521-526
• 页数: 6页
• 分类号: TK730.2
• 字数: 1630字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20142904.0521

摘要

介绍了新型TFT LCD黑矩阵细线化研究.在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果.实验测试结果显示:在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘衍射和散射现象,使曝光后黑矩阵线宽降低1.0～1.5 μm.在原有工艺基础上添加背面曝光工艺,使黑矩阵材料在显影后进行背面曝光预固化,改善黑矩阵图形形貌,进一步减小黑矩阵线宽达到0.3～0.5 μm.通过新工艺和新设备的引入和应用,黑矩阵线宽整体降低1.5～2.0 pm,达到5.0～5.5 μm,可以满足目前高PPI(单位面积像素个数)产品对透过率和对比度要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	靳福江		2	2	1.0	1.0
2	卢兵		1	1	1.0	1.0
3	朱凤稚		2	1	1.0	1.0
4	罗峰		1	1	1.0	1.0
5	柳星		1	1	1.0	1.0
6	代伟男		1	1	1.0	1.0
7	刘华		1	1	1.0	1.0