SiC-AlN复相陶瓷材料的无压烧结和导热性能

• 作者: 丘泰 刘学建 姚秀敏 张景贤 李晓云 杨建 江东亮 陈忠明 黄政仁
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 氮化铝 无压烧结 热导率
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 电子陶瓷、陶瓷-金属封接专辑
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 2033字
• 语种: 中文

摘要

采用无压烧结工艺制备了SiC-AlN复相陶瓷材料,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜和激光导热仪对材料的晶相、微结构和导热性能进行了综合研究.实验发现,烧结体的密度和AlN的添加量有关.在AlN添加量低于1o％(质量比)时,烧结体的相对密度随着AlN含量的升高而升高.在添加量高于10％时,AlN的添加对于烧结不利.复相陶瓷的热导率随着AlN含量的增加而下降.这和材料内部固溶体的形成有关.XRD测试发现,随着AlN含量的升高,2H固溶相增加.这直接影响到材料的烧结性能和热导率.