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BaO-MgO-Y2O3烧结助剂对SiC-AlN复相陶瓷性能的影响
BaO-MgO-Y2O3烧结助剂对SiC-AlN复相陶瓷性能的影响
作者:
冯永宝
李晓云
李鑫
杨建
杨群
王玉春
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
碳化硅-氮化铝
热压烧结
致密性
导热性能
摘要:
以BaO-MgO-Y2O3为烧结助剂,采用热压烧结工艺在1850℃制备了SiC-AlN复相陶瓷.研究了不同助剂的含量对复相陶瓷致密性与导热性能的影响.结果表明:适量的烧结助剂能够对SiC-AlN复相陶瓷起到促进烧结作用.烧结助剂含量为6%(质量比)时,样品显气孔率较大;提高助剂含量,样品显气孔率显著降低.复相陶瓷在烧结助剂含量为10%时获得最佳的致密性,其显气孔率仅为0.30%.在烧结助剂含量为10%时,样品具有最高的热导率43 W·m-1·K-1.复相陶瓷的热导率主要受样品致密性和晶界相的影响,不足或过量的烧结助剂都会使样品的热导率降低.
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文献信息
篇名
BaO-MgO-Y2O3烧结助剂对SiC-AlN复相陶瓷性能的影响
来源期刊
真空电子技术
学科
工学
关键词
碳化硅-氮化铝
热压烧结
致密性
导热性能
年,卷(期)
2016,(5)
所属期刊栏目
电子材料和封接、封装专辑
研究方向
页码范围
22-25,29
页数
5页
分类号
TQ174.5
字数
3536字
语种
中文
DOI
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作者信息
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1
李鑫
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22
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2
李晓云
南京工业大学材料科学与工程学院
69
515
12.0
19.0
3
杨建
南京工业大学材料科学与工程学院
70
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4
冯永宝
南京工业大学材料科学与工程学院
39
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5
王玉春
10
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南京工业大学材料科学与工程学院
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真空电子技术
主办单位:
北京真空电子技术研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1002-8935
CN:
11-2485/TN
开本:
大16开
出版地:
北京749信箱7分箱
邮发代号:
创刊时间:
1959
语种:
chi
出版文献量(篇)
2372
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7
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