铜掺杂氧化锌薄膜阻变特性的研究

• 作者: 刘冲 杨帆 杨胜辉 邓宏 韦敏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铜掺杂氧化锌 阻变开关 空间电荷限制电流效应
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 604-607
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.21
• 字数: 2268字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143505.0604

摘要

以ZnO∶ Al为底电极,Cu为顶电极,在同种工艺条件下分别制备了类电容结构的纯ZnO阻变器件和ZnO∶2％Cu阻变器件,分析比较了两种器件的典型I-V特性曲线、置位电压(Vset)和复位电压(VReset)的分布范围、器件的耐久性.结果显示,ZnO∶Cu阻变器件较纯ZnO阻变器件有更大的开关比和更稳定的循环性能.另外,研究了ZnO∶Cu阻变器件的阻变机理,通过对其I-V特性曲线分析得出以下结论:ZnO∶Cu阻变器件在高阻态遵循空间电荷限制电流效应,低阻态符合欧姆定律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	72	653	14.0	22.0
2	韦敏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	15	131	7.0	11.0
3	杨帆	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	128	7.0	9.0
4	杨胜辉	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	8	2.0	2.0
5	刘冲	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	21	3.0	4.0