铜掺杂氧化锌薄膜的阻变特性

• 作者: 张伟风 董清臣 贾彩虹
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 电阻开关 脉冲激光沉积 铜掺杂氧化锌 Schottky结界面势垒
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 18-22
• 分类号: O484.4
• 字数: 2757字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.05.006

摘要

采用脉冲激光沉积法在SnO<,2>:F(FTO)衬底上制备了单一c轴取向生长的ZnO和ZnO:Cu薄膜,并对具有Au/ZnO/FTO和Au/ZnO:Cu/FTO三明治结构的器件进行了阻变特性测试.结果显示:两种器件在室温电场作用下均显示出双极可逆变阻特性;Cu掺杂使ZnO薄膜的开关比大幅增加,电流-电压曲线拟合结果显示这是由Schottky结界面机制产生的高低阻态引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董清臣		1	1	1.0	1.0
2	贾彩虹		1	1	1.0	1.0
3	张伟风		1	1	1.0	1.0