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摘要:
保护电路是电源管理芯片的一个重要环节,保证芯片内部模块的正常工作.相对于传统的过温保护电路,提出一种新型的结构简单且功耗低的过温保护电路,它利用BJT的负温度特性和比较器的失调特性实现迟滞.在0.25 μmnBCD工艺下,利用Cadence和Hspice工具对过温保护电路进行前端仿真验证.在不同电源电压和工艺角下,对该电路的开启温度和重启温度都进行了仿真测试.仿真结果表明,它能很好地抑制电源电压和工艺参数的变化造成的热关断阈值点的漂移,并且其功耗很低,静态电流不超过9 μA.
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一种改进的高精度低功耗过温保护电路
过温保护
高精度
迟滞
BCD工艺
一种高精度低功耗的BiCMOS过温保护电路
过温保护
阈值电压
温度系数
回差温度
集成电路
芯片
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 新型低功耗过温保护电路设计
来源期刊 仪表技术与传感器 学科 工学
关键词 过温保护 BJT 负温度特性 比较器失调 迟滞 低功耗
年,卷(期) 2014,(7) 所属期刊栏目 传感器技术
研究方向 页码范围 37-39
页数 3页 分类号 TN433
字数 2533字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 冯全源 西南交通大学信息科学与技术学院微电子研究所 261 1853 19.0 26.0
2 苟静 西南交通大学信息科学与技术学院微电子研究所 3 17 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
过温保护
BJT
负温度特性
比较器失调
迟滞
低功耗
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
仪表技术与传感器
月刊
1002-1841
21-1154/TH
大16开
沈阳市大东区北海街242号
8-69
1964
chi
出版文献量(篇)
7929
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