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摘要:
氮化镓( Gallium ( iii) Nitride, GaN)作为新一代半导体材料的代表,其高功率密度、高击穿场强的特点使其具备了带宽宽、效率高等优点。根据GaN功率管的特点,采用ADS仿真软件,对功率管进行了直流分析、稳定性分析以及输入输出匹配电路的仿真与设计,并对放大器效率指标进行了测试。实验数据表明,功率放大器在L频段可以达到连续波输出功率100 W,效率大于50%,验证了GaN功率管高效率的特性。
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文献信息
篇名 L频段高效功率放大器设计
来源期刊 无线电工程 学科 工学
关键词 GaN功率管 直流分析 时序 ADS仿真
年,卷(期) 2014,(4) 所属期刊栏目 电磁场与微波
研究方向 页码范围 47-49,61
页数 4页 分类号 TN722.75
字数 1711字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蓝永海 中国电子科技集团公司第三十六研究所 7 23 3.0 4.0
2 刘传洋 中国电子科技集团公司第三十六研究所 2 8 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
GaN功率管
直流分析
时序
ADS仿真
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
无线电工程
月刊
1003-3106
13-1097/TN
大16开
河北省石家庄市174信箱215分箱
18-150
1971
chi
出版文献量(篇)
5453
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20875
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