用化学镀改善多孔硅的金半接触质量

• 作者: 余峰 廖家科 李伟 渠叶君 郭安然
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 化学
• 关键词: 化学镀 金半接触 I-V特性 比接触电阻 多孔硅
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 591-596
• 页数: 6页
• 分类号: O649|TN301.2
• 字数: 2731字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2014.04.002

摘要

多孔硅是一种具有优良光吸收特性的表面微结构材料，在光电探测器和太阳能光伏电池领域具有良好的应用前景。为了改善金属/多孔硅电接触质量，通过电化学腐蚀制备多孔硅，对比研究了化学镀与物理气相沉积(热蒸发、磁控溅射)工艺制备出的金属电极界面结构，测试了相应I-V特性，并讨论了快速退火对金半接触质量的影响。研究结果表明，用化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极，经快速退火处理后，能得到较低比接触电阻(10-1Ω·cm2)的欧姆电接触。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟	电子科技大学光电信息学院	75	359	10.0	14.0
2	余峰		1	3	1.0	1.0
3	廖家科		1	3	1.0	1.0
4	渠叶君		1	3	1.0	1.0
5	郭安然		1	3	1.0	1.0