硅太阳电池前表面发射极钝化研究

• 作者: 刘文峰 周大良 姬常晓 成文 杨晓生
• 来源期刊: 太阳能
• 关键词: 硅太阳电池 表面钝化 表面复合
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 技术产品与工程
• 页码范围: 30-33
• 页数: 4页
• 字数: 2328字
• 语种: 中文

摘要

介绍了表面钝化技术在晶体硅太阳电池中的发展和应用,详细阐述了采用热氧化和氢氟酸减薄的方法来制备SiO2钝化膜.实验分别采用800℃、850℃、900℃和950℃对发射极进行热氧化,通过浓度2.5％的HF将钝化膜减薄,制备成电池片.通过测试氧化前后电性能参数、扩散方阻、接触电势和量子效率的变化,确认了最佳氧化条件.实验表明:在850℃、15 min的条件下,SiO2钝化膜能很好地降低硅片的表面复合,提升短波响应,使开路电压和短路电流均得到提升,平均转换效率提高0.23％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘文峰	中国电子科技集团第四十八研究所国家光伏装备工程技术研究中心	6	4	1.0	2.0
2	姬常晓	中国电子科技集团第四十八研究所国家光伏装备工程技术研究中心	5	0	0.0	0.0
3	周大良	中国电子科技集团第四十八研究所国家光伏装备工程技术研究中心	2	1	1.0	1.0
4	杨晓生	中国电子科技集团第四十八研究所国家光伏装备工程技术研究中心	5	27	2.0	5.0
5	成文	中国电子科技集团第四十八研究所国家光伏装备工程技术研究中心	1	0	0.0	0.0