纳米裂缝位置可控的表面传导电子发射薄膜

• 作者: 吴胜利 杨小艳 沈志华
• 来源期刊: 液晶与显示
• 关键词: 表面传导电子发射 内陷型导电薄膜 电形成
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 器件物理与器件制备技术
• 页码范围: 911-915
• 页数: 5页
• 字数: 2566字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20142906.0911

摘要

提出一种新型结构的表面传导电子发射导电薄膜，该导电薄膜在中间位置向内有凹陷，基于电形成过程中焦耳热引起薄膜龟裂的原理，会在凹陷附近诱导纳米级裂缝形成，控制纳米裂缝形成位置.分析了此结构导电薄膜对裂缝产生位置的影响及2种不同电形成方法对裂缝形貌的影响，测试了电子发射性能，得到了发射电流特性曲线和发光图像.实验结果表明，这种新型导电薄膜能一定程度上控制纳米裂缝的形成位置，有利于改进表面传导电子发射的均匀性，在阳极高压2.0 kV、阴极板电子发射单元施加的器件电压14 V 时，新型结构导电薄膜实现了均匀发光，发射电流最大为18μA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴胜利	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	46	216	9.0	12.0
2	杨小艳	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0
3	沈志华	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0