基于二氧化钒薄膜的太赫兹开关器件

• 作者: 周逊 孔维鹏 孙年春 杨存榜 王度 罗振飞 郭超
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太赫兹 VO2薄膜 开关器件 热致相变
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 太赫兹科学技术
• 页码范围: 644-646,652
• 页数: 4页
• 分类号: TN204
• 字数: 1425字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201405.0644

摘要

二氧化钒(VO2)作为一种优质的光电功能材料一直备受人们的关注，在信息存储、光调制器、太阳能电池、光电探测器等方面有着重要应用。采用磁控溅射及原位退火氧化的“两步法”制备了 VO2薄膜，并对其进行晶态、形貌表征。设计并搭建 VO2薄膜热致相变实验系统，研究了VO2薄膜在变温条件下对2.52 THz辐射的开关特性。结果表明，VO2薄膜样品为多晶态，具有明显的太赫兹调制效果，可以实现对2.52 THz波的调制，并可作为太赫兹开关/调制器件的功能材料。