N-M(In,Ga,Al)共掺(6,6)型闭口氧化锌纳米管场发射第一性原理研究

• 作者: 何银花 吴振 王发展 王哲 王欣 马姗
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 ZnO纳米管 场致发射 共掺杂
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 1509-1514
• 页数: 6页
• 分类号: O562
• 字数: 2404字
• 语种: 中文

摘要

运用以密度泛函理论为基础的第一性原理计算方法,研究了N-M(In,Ga,Al)共掺(6,6)型闭口氧化锌(ZnO)单壁纳米管的结构稳定性和场致发射特性.结果表明:共掺可增强体系帽端的稳定性;外加电场越大,各体系的态密度(DOS)分布越低,能隙和有效功函数越小,电荷向帽端聚集.DOS,最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO),Mulliken电荷和有效功函数分析结果一致表明,N-In共掺体系的场发射性能最优.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王发展	西安建筑科技大学材料与矿资学院	66	416	11.0	16.0
5	王欣	西安建筑科技大学材料与矿资学院	18	85	6.0	8.0
6	王哲	西安建筑科技大学材料与矿资学院	14	42	5.0	6.0
7	马姗	西安建筑科技大学机电工程学院	8	60	5.0	7.0
8	何银花	西安建筑科技大学材料与矿资学院	7	18	3.0	3.0
9	吴振	西安建筑科技大学机电工程学院	7	39	5.0	6.0