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摘要:
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32nm CMOS工艺技术挑战
CMOS技术
32nm技术节点
迁移率增强
金属栅/高k栅介质
超低k介质
单晶硅晶圆晶向的精确标定方法
微机电系统
体硅工艺
晶向
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 武汉新芯第一片32nm闪存晶圆验证成功
来源期刊 CAD/CAM与制造业信息化 学科
关键词
年,卷(期) 2014,(7) 所属期刊栏目 STRATASYS 董事会主席获奖
研究方向 页码范围 4-4
页数 1页 分类号
字数 1612字 语种 中文
DOI
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期刊影响力
智能制造
月刊
1671-8186
10-1315/TP
大16开
北京市百万庄大街22号四层西厅CAD/CAM杂志社
1994
chi
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7666
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4
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13400
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