Ru掺杂Sn基氧化物电极的第一性原理计算

• 作者: 刘雪华 唐电 林玮 王欣 翁卫祥 邓芬勇
• 来源期刊: 中国有色金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: Sn基氧化物 Ru掺杂 第一性原理计算 电子结构 导电性能
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 1333-1338
• 页数: 6页
• 分类号: TG174.4
• 字数: 2870字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法和局域密度近似，研究Ru掺杂SnO 2形成的Sn 0.875 Ru 0.125 O 2复合氧化物电极的晶体结构和电子结构，比较掺杂前后体系的能带结构、电子态密度和载流子浓度。计算表明：Ru掺杂后SnO 2的晶胞体积缩小，复合氧化物电极的能带结构、电子态密度和载流子浓度均发生显著变化，导致材料的导电类型呈现近金属特性，揭示Ru掺杂后SnO 2导电性能显著增强的原因是导带底附近形成的杂质能级的贡献。