Sn掺杂Ga1.375In0.625O3透明导电氧化物的第一性原理计算

• 作者: 赵银女
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: Sn掺杂Ga1.375In0.625O3 电子结构 第一性原理 掺杂位置
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 46-50
• 分类号: TN304.2|O471.5
• 语种: 中文

摘要

用第一性原理计算了Sn替位Ga1.375In0.625O3化合物的Ga原子(Ga1.25In0.625Sn0.125O3)和Sn替位Ga1.375In0.625O3化合物的In原子(Ga1.375In0.5Sn0.125O3)的结构、电子能带和态密度.Ga1.25In0.625 Sn0.125O3半导体材料比Ga1.375In0.5 Sn0.125O3材料具有大的晶胞体积和强的Sn-O离子键.在Sn掺杂Ga1.375In0.625O3半导体中,Sn原子优先取代In原子.Sn掺杂Ga1.375In0.625O3半导体显示n型导电性,杂质能带主要由Sn 5s态组成.Ga1.375In0.5Sn0.125O3半导体的光学带隙大于Ga1.25In0.625Sn0.125O3半导体的光学带隙.Ga1.25In0.525Sn0.125O3具有小的电子有效质量,Ga1.375In0.5Sn0.125O3具有多的相对电子数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵银女	鲁东大学教务处	8	29	3.0	5.0