CTIA型读出电路结构优化研究

• 作者: 史泽林 王霄
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 读出电路 cascode积分器 红外辐射 噪声 信噪比
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 页码范围: 64-68
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文

摘要

为了提高不同波段红外读出电路的探测能力，优化了Cascode CTIA型读出电路中各MOS管和电容．首先给出了由cascode积分器、源级跟随结构缓冲器和采样保持电路构成的CTIA读出电路结构，逐级建立了噪声模型，分析了MOS管、积分电容、带宽限制电容和采样保持电容对噪声的影响，得出三个重要结论：（1）适当的MOS管跨导比会有效地抑制其带来的噪声，最低噪声与带宽限制电容有关，约为其KTC噪声的2/3；（2）带宽限制电容和采样保持电容取值越接近，读出电路噪声越小；（3）短波和中波红外辐射特性的差异导致三个设计电容的最优取值相差较大．在典型应用条件下，达到最佳信噪比的中波积分电容为1．7pF，短波为0．76pF．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史泽林	中国科学院沈阳自动化研究所	81	1110	18.0	29.0
5	王霄	中国科学院沈阳自动化研究所	24	109	6.0	9.0