助溶剂NH4I条件下CuI晶体的降温法生长及性能研究

• 作者: 叶李旺 吕洋洋 庄欣欣 苏根博 许智煌
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碘化亚铜 溶液降温法 碘化铵 光致发光 迁移率
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 页码范围: 2481-2486
• 页数: 6页
• 分类号: O78
• 字数: 2235字
• 语种: 中文

摘要

以碘化铵(NH4I)作为助溶剂,采用溶液降温法生长CuI晶体.在50 ～60℃温区、6 mol/L助溶剂浓度条件下生长出厘米级尺寸的透明块状晶体.采用XRD、综合热分析(TG/DTA)对晶体进行结构表征,晶体属于γ相,相变温度分别为370℃(γ相→β相)和409℃(β相→α相).利用透射光谱、光致发光谱分析晶体的光学性能,晶体在可见区波段透过率达到70％,在426 nm附近有一个明显的带边特征峰,并伴有一个412 nm的肩峰.霍尔测试表明晶体为p型半导体,相应迁移率为11.88cm2 ·V-1 ·s-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏根博	中国科学院光电材料化学与物理重点实验室	18	189	8.0	13.0
2	庄欣欣	中国科学院光电材料化学与物理重点实验室	17	141	8.0	11.0
3	吕洋洋	中国科学院光电材料化学与物理重点实验室	1	2	1.0	1.0
7	许智煌	中国科学院光电材料化学与物理重点实验室	6	16	2.0	3.0
8	叶李旺	中国科学院光电材料化学与物理重点实验室	6	17	2.0	4.0