CMOS工艺X射线图像传感器设计

• 作者: 孟丽娅 王庆祥 袁松
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: X射线 图像传感器 辐射加固
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1891-1894
• 页数: 4页
• 分类号: TN386|TN311
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2014.48.10.1891

摘要

本文设计了一种不需闪烁体或增感屏，直接对X射线进行探测成像的线阵图像传感器，对其电荷收集进行了理论分析，设计了辐射加固的光敏元结构。采用0.5μm DPT M CM OS工艺，针对单个像元内含不同个数光敏元的结构进行了流片和X射线实验测试。测试结果表明：该图像传感器暗信号电压约为1V，随像元内光敏元个数的增加暗信号电压增大；饱和输出电压为2.4V ；随光敏元个数的增加，电荷收集总量增加，总寄生电容也同时增加，所设计的单个像元含3个光敏元的结构能得到相对更大的有效输出电压。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟丽娅		34	172	6.0	12.0
3	王庆祥		5	13	2.0	3.0
7	袁松		1	2	1.0	1.0