超薄GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究

• 作者: 张宝 王保民 薛超 高伟 高鹏
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD技术 器件工艺 GaInP/GaInAs/Ge太阳电池
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 1069-1070,1142
• 页数: 3页
• 分类号: TM914
• 字数: 2792字
• 语种: 中文

摘要

通过特殊的MOCVD技术和器件工艺,应用超薄衬底和对正常衬底的减薄两种方法,成功地制作出了80 μm厚的超薄GaInP/GaInAs/Ge结构的太阳电池.对太阳电池进行了相关的测试,并对实验结果进行了分析和讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高伟	中国电子科技集团公司第十八研究所	5	14	2.0	3.0
2	高鹏	中国电子科技集团公司第十八研究所	14	32	4.0	5.0
3	薛超	中国电子科技集团公司第十八研究所	8	17	3.0	4.0
4	王保民	中国电子科技集团公司第十八研究所	3	10	2.0	3.0
5	张宝	中国电子科技集团公司第十八研究所	4	16	2.0	4.0