碳化硅修饰碳糊电极测定汞离子

• 作者: 冯鹏青 戴虹 焦晨旭 郭凌雁
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 化学
• 关键词: 碳糊电极 碳化硅 汞(Ⅱ) 循环伏安法
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 49-52
• 页数: 4页
• 分类号: O657.1
• 字数: 3206字
• 语种: 中文

摘要

制备了碳化硅修饰碳糊电极,利用循环伏安法,采用三电极体系测定汞离子的电化学行为.结果表明,以100 mV/s的扫描速度测定pH值为2.33的BR缓冲溶液中的Hg2+时,在0.575 V左右出现一个特征吸收峰,峰电压与Hg2+浓度在1.0×10-7～1.0×10-4 mol/L范围内可呈良好的线性关系,相关系数为0.9971,检出限为3.7×10-8 mol/L,连续测定2周,电极表现出较好的稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	焦晨旭	中北大学理学院	29	114	6.0	9.0
2	冯鹏青	中北大学理学院	4	23	3.0	4.0
3	郭凌雁	中北大学理学院	4	23	3.0	4.0
4	戴虹	中北大学理学院	7	19	3.0	4.0