高能电子照射绝缘样品的泄漏电流特性

• 作者: 刘丁 张海波 李维勤
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 绝缘样品 泄漏电流 电子产额 数值模拟
• 年，卷（期）: 2014,（22）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 227303-1-227303-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.227303

摘要

建立了考虑电子散射、输运、俘获和自洽场的数值计算模型，研究了高能电子束照射下绝缘厚样品的泄漏电流特性，并采用一个实验平台测量了泄漏电流。结果表明：在电子束持续照射下，电子总产额会下降；由于电子在样品内部的输运，样品近表面呈现微弱的正带电，在样品内部呈现较强的负带电；样品内部电子会向下输运形成电子束感生电流，长时间照射下会形成泄漏电流；随着照射，泄漏电流逐渐增大并趋于稳定值；泄漏电流随样品厚度的增大而减小，随电子束能量、电子束电流的增大而增大。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘丁	西安理工大学自动化与信息工程学院	196	3213	31.0	45.0
2	李维勤	西安理工大学自动化与信息工程学院	17	20	3.0	4.0