一种1064nm应变双量子阱激光器的设计与制作

• 作者: 石英亮 陈福川
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: InGaAs 应变双量子阱 1064nm 半导体激光器
• 年，卷（期）: 2014,（15）
• 所属期刊栏目: 设计应用
• 页码范围: 157-157,159
• 页数: 2页
• 字数: 2016字
• 语种: 中文

摘要

为能得窄谱宽、高亮度的1064nm-InGaAs/GaAs应变双量子阱激光器，分析了In组份与临界厚度、应变量的变化关系，并给出了In组份的选择范围。采用Kane模型给出了量子阱中第一分立能级分裂宽度与垒宽的关系，明确了应变双量子阱激光器中垒宽的选择。最后，通过金属有机气相沉积(MOCVD)法生长了1064nm应变双量子阱激光器，实验结果与理论计算的辐射波长值基本吻合。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石英亮	重庆邮电大学光电工程学院	3	16	1.0	3.0
2	陈福川	重庆邮电大学光电工程学院	2	2	1.0	1.0