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摘要:
采用热分解和电化学沉积相结合的方法,在p-Cu2O纳米棒上沉积n-Cu2O,制备了n-Cu2 O/p-Cu2O纳米棒复合结构.通过X射线衍射分析(XRD)、扫描电镜分析(SEM)和Mott-Schottky(MS)测试研究了样品的结构、形貌以及导电类型,使用光电流密度测试考察了样品的光电化学性能,并根据电化学阻抗测试(EIS)进行了机理分析.结果表明:沉积n-Cu2O之后样品的载流子分离-转移能力大幅提升,因此n-Cu2 O/p-Cu2O纳米棒复合结构表现出良好的光电化学性能.
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形貌控制
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 n-Cu2O/p-Cu2O纳米棒复合结构的制备与光电化学性能
来源期刊 材料科学与工程学报 学科 工学
关键词 Cu2O 纳米棒 电沉积 光电化学性能
年,卷(期) 2015,(5) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 641-644
页数 分类号 TB383
字数 语种 中文
DOI 10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.05.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱丽萍 浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室 39 267 10.0 15.0
2 周梦萦 浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室 1 2 1.0 1.0
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材料科学与工程学报
双月刊
1673-2812
33-1307/T
大16开
浙江杭州浙大路38号浙江大学材料系
1983
chi
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