锡掺杂氧化铟纳米线的制备及场发射性能研究

• 作者: 冼志科 池凌飞 胡小蔚
• 来源期刊: 汕头大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 锡掺杂氧化铟 纳米结构 化学气相沉积 场发射性能
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 76-80
• 页数: 5页
• 分类号: TN104.3
• 字数: 1839字
• 语种: 中文

摘要

由于晶格失配,使得直接在硅衬底上生长有序的锡掺杂的氧化铟(ITO)一维纳米阵列非常困难.本文使用化学气相沉积法,利用升温过程中形成的ITO颗粒为生长点,成功地在硅衬底上制备出排列有序的氧化铟锡(ITO)一维纳米结构.对生成物进行了扫描电子显微镜(SEM),X射线能量色散谱(EDS)和X射线衍射(XRD)表征;对其进行的场发射性能测试表明,ITO纳米线阵列的场增强因子大约为1600,有望在冷阴极材料领域得到应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	池凌飞	汕头大学理学院	14	153	6.0	12.0
2	胡小蔚	汕头大学理学院	1	1	1.0	1.0
3	冼志科	汕头大学理学院	2	1	1.0	1.0