拓扑绝缘体Sb2Te3和Bi2Te2Se薄膜电子结构的第一性原理研究

• 作者: 周剑平 王园 雷玉玺 马静
• 来源期刊: 陕西师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 拓扑绝缘体 电子结构 金属表面态 第一性原理
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 34-38
• 页数: 5页
• 分类号: O481.1
• 字数: 2085字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15983/j.cnki.jsnu.2015.04.242

摘要

为理解拓扑绝缘体纳米薄膜的电子性质,采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法系统研究拓扑绝缘体Sb2Te3和Bi2Te2Se密排面(01(1)5)薄膜由1层增加到5层的电子结构.通过计算发现对于Sb2Te3密排面(01(1)5)薄膜,随着薄膜层数递增,G点的能隙逐渐减小,当膜厚为5层时,薄膜表现出金属态;Bi2Te2Se密排面(01(1)5)薄膜电子结构也表现出类似的特性.研究结果表明:随着薄膜厚度的增加,Sb2Te3和Bi2Te2Se(01(1)5)薄膜不具有体材料绝缘性,却表现出拓朴绝缘体表面无能隙的金属性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周剑平	陕西师范大学物理学与信息技术学院	24	92	5.0	9.0
2	马静	陕西师范大学物理学与信息技术学院	26	33	3.0	5.0
3	雷玉玺	陕西师范大学物理学与信息技术学院	2	2	1.0	1.0
4	王园	陕西师范大学物理学与信息技术学院	1	1	1.0	1.0