单轴压力下Ge2X2Te5（X =Sb，Bi）薄膜拓扑相变的第一性原理研究?

• 作者: 丁俊 张梅 张英 黎巍
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 单轴压力 拓扑金属 拓扑量子相变
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 107301-1-107301-9
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.107301

摘要

随着拓扑绝缘体的发现,材料拓扑物性的研究成为凝聚态物理研究的热点领域。本文基于第一性原理计算,研究了化合物Ge2 X2 Te5(X =Sb, Bi)的块体结构和二维单层和双层薄膜结构的拓扑物性,以及单双层薄膜在垂直方向单轴压力下的拓扑量子相变。研究发现,A型原子序列排列的这两种化合物都是拓扑绝缘体,其单层薄膜都是普通金属,而双层薄膜都是拓扑金属,单层和双层薄膜在单轴加压过程中都没有发生拓扑量子相变；这两种化合物的B型原子序列的晶体是普通绝缘体,其所对应的薄膜, Ge2Sb2Te5单层是普通金属,双层薄膜和Ge2 Bi2 Te5的单层和双层薄膜均为普通绝缘体,但是在单轴加压过程中B型原子序列所对应的单层和双层薄膜都转变为拓扑金属。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张梅	北京师范大学物理系	23	500	5.0	22.0
2	张英	北京师范大学物理系	33	425	11.0	20.0
3	丁俊	河南工程学院理学院	6	7	1.0	2.0
4	黎巍	河南工程学院理学院	3	0	0.0	0.0