相变存储材料Ge2Sb2Te5的电子结构研究

• 作者: 张法光
• 来源期刊: 江汉大学学报（自然科学版）
• 学科: 数学
• 关键词: Ge2Sb2Te5 电子结构 第一性原理
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 25-27
• 页数: 3页
• 分类号: O1471.5
• 字数: 2338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-0143.2009.02.007

摘要

利用密度泛函理论对稳态六方Ge2Sb2Te5,进行第一性原理计算,得到了其晶格常数、能带结构、电子态密度等相关性质.详细讨论了其成键情况和电子结构对材料晶化率的影响,从电子结构的角度解释了GST稳态与亚稳态之间的转抉机制,对实验掺杂研究给出了理论性的指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张法光	武汉理工大学理学院	2	2	1.0	1.0