Ge2Sb2Te5薄膜相变行为及其对光存储特性影响

• 作者: 吴世法 张庆瑜 潘石 都健
• 来源期刊: 大连理工大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ge2Sb2Te5薄膜 射频磁控溅射 相变 光学特性 激光辐照
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 工程物理、工程力学
• 页码范围: 781-785
• 页数: 5页
• 分类号: O469
• 字数: 4335字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射方法,在石英玻璃基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.X射线衍射分析表明:室温沉积的薄膜为非晶态;170℃真空退火后,薄膜转变为晶粒尺度约为17 nm的面心立方结构;250 ℃退火导致晶粒尺度约为40 nm的密排六方相出现.研究了室温至450℃下薄膜相变的热力学性能.差热分析显示:薄膜的非晶相向fcc相转变的相变活化能为(2.03±0.15)eV;fcc相向hex相转变的相变活化能为(1.58±0.24)eV.薄膜反射率测量表明:面心相与非晶相的反射率对比度随着波长从400 nm增加到1 000 nm在15%～30%变化,六方相与非晶相的反射率对比度在30%～40%.不同脉冲宽度的激光对非晶态薄膜的烧蚀结果显示:激光的能量密度对薄膜的记录效果有显著影响,在5 mW、50 ns的脉冲激光作用下,Ge2Sb2Te5薄膜具有最好的光存储效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘石	大连理工大学物理系	45	254	9.0	13.0
2	都健	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	54	242	8.0	13.0
3	张庆瑜	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	92	897	16.0	25.0
4	吴世法	大连理工大学物理系	41	336	10.0	17.0