Ge2Sb2Te5不同晶相对相变存储单元RESET电流影响

• 作者: 康杰虎 王玉婵 王玉菡
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 相变存储器 Ge2Sb2Te5 RESET 数值计算 立方晶相 六方晶相
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 61-63
• 页数: 3页
• 分类号: TN407
• 字数: 1504字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.01.015

摘要

相变存储器（Phase Change Memory，PCM）的RESET电流是决定其功耗的最重要参数。基于相变材料Ge2Sb2Te5（GST）的PCM单元，不同的SET条件下晶粒表现出两种不同的晶态结构，分别为立方晶相和六方晶相。针对这两种不同晶态结构的晶粒，应用数值模拟计算，对PCM单元的RESET电流进行研究，并将模拟结果与实际测试结果对比验证。结果表明：基于立方晶粒GST的PCM单元需要的RESET电流更小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玉菡	重庆理工大学电子信息与自动化学院	28	64	5.0	6.0
2	王玉婵	重庆邮电大学光电工程学院	10	8	2.0	2.0
3	康杰虎	重庆交通大学机电与车辆工程学院	4	3	1.0	1.0