多孔硅的电致发光研究

• 作者: 杨志伟 田金承
• 来源期刊: 青岛大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 电致发光 Ⅰ-Ⅴ特性曲线
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 22-24,29
• 页数: 4页
• 分类号: TN383+.2
• 字数: 1347字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-1037.2015.05.05

摘要

用电化学氧化方法在镀有Al电极的Si片上制备了多孔硅样品,在其上再镀一层ITO透明薄膜作为电极,得到了多孔硅电致发光器件.研究了该器件的结构形貌、光学和电学特性.通过扫描电镜可以观察到多孔硅的“树枝状”结构.器件的Ⅰ-Ⅴ特性曲线表明,当加正向偏压时,电流随着电压的增加快速增大,表现为正向导通.当加反向偏压时,电流很小,几乎为零,表现为反向截止,显示出单向导电性特点.器件的电致发光谱和光致发光谱相比,中心峰位和谱峰范围都基本一致,但有蓝移,这主要是因为二者的发光机制不同造成的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田金承	山东铝业职业学院电气工程系	9	25	2.0	4.0
2	杨志伟	山东铝业职业学院电气工程系	9	19	2.0	4.0