平面肖特基二极管的制作

• 作者: 沈昌乐 罗跃川 赵妍 阎大伟
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 平面肖特基二极管 制作工艺 截止频率 太赫兹
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 太赫兹科学技术
• 页码范围: 544-549
• 页数: 6页
• 分类号: TN311+.7
• 字数: 3175字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201504.0544

摘要

为研究制作THz频段下工作的肖特基二极管器件,系统研究了平面肖特基二极管的制作工艺.通过分子束外延(MBE)生长了掺杂浓度分别为5×1018cm-3的缓冲层和2×1017 cm-3的外延层,并研究温度对厚度的影响,使得膜层厚度控制良好,晶格完整.通过参数控制,减小了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的SiO2钝化层应力,使压指结构的翘曲情况得以改善.研究了不同退火温度下欧姆接触的情况,使接触电阻率减小到0.8×10-7 Ω/cm2.用电子束光刻和干法刻蚀制作了亚微米级的阳极区域,结合GaAs湿法刻蚀的速率控制,完成了表面沟道的制作,制作出完整的平面肖特基二极管.通过I-U曲线理论计算,二极管的截止频率达到太赫兹量级,为后续工作奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阎大伟	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	6	5	2.0	2.0
2	沈昌乐	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	5	3	1.0	1.0
3	赵妍	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	4	6	2.0	2.0
4	罗跃川	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	3	16	3.0	3.0