用第一性原理研究Ti掺杂β-Ga2O3的电子结构和光学性能

• 作者: 孟德兰 牛培江 闫金良
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 第一性原理 Ti掺杂β-Ga2O3 电子结构 光学性能
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 484-489
• 分类号: TN304.2|O471.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.004

摘要

用GGA+U的方法研究了本征β-Ga2O3和Ti掺杂β-Ga2O3的电子结构和光学性能.晶格常数的计算值与实验值差别小于1％,本征β-Ga2O3的带隙计算值4.915eV,与实验值4.9eV一致.Ti替位Ga(1)位置和Ti替位Ga(2)位置的β-Ga2O3的价带最大值和导带最小值间隙分别为4.992eV和4.955eV,Ti掺杂引入的杂质带起到中间带作用,可以使电子从杂质带跃迁到导带和价带跃迁到杂质带.Ti掺杂β-Ga2O3中间带的存在使其成为潜在的宽光谱吸收太阳能电池材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫金良	鲁东大学物理与光电工程学院	25	100	5.0	8.0
2	孟德兰	鲁东大学物理与光电工程学院	1	2	1.0	1.0
3	牛培江	鲁东大学物理与光电工程学院	1	2	1.0	1.0