助溶剂法生长Bi4Ti3O12单晶的形貌和缺陷研究

• 作者: 卢朝靖 叶万能 宿杰 李华兵
• 来源期刊: 青岛大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: BIT单晶 助溶剂法 生长形貌 缺陷 电畴结构
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 物理与化学
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: O771
• 字数: 1773字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-1037.2015.08.09

摘要

采用助溶剂缓慢降温自发成核法生长钛酸铋Bi4Ti3O12(BIT)单晶,晶体呈淡黄色,尺寸达到40mm×20mm×0.4mm.BIT单晶(001)面生长速度最慢,其(001)面成为热力学上稳定存在的自然显露晶面.在光学显微镜下观察到BIT晶体中出现的两种缺陷:包裹体和枝晶,对其形成的机制进行分析并提出了减少和消除缺陷的相应措施.用光学显微镜对BIT单晶的90°电畴结构进行了较好的观察和分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宿杰	青岛大学物理科学学院	5	3	1.0	1.0
2	李华兵	青岛大学物理科学学院	1	1	1.0	1.0