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摘要:
以二水合氯化亚锡和硫脲为反应物,2-甲氧基乙醇为溶剂,单乙醇胺为稳定剂,采取溶胶-凝胶法,以玻璃片为基片制备了硫化亚锡薄膜.采用X射线衍射、霜尔效应测试、紫外光透过测试等技术表征了硫化亚锡薄膜的性质.结果表明:最后的退火温度对薄膜中硫化亚锡的含量和电子迁移率有较大的影响,退火温度越高,硫化亚锡的含量也就越多,薄膜中电子迁移率也升高;硫化锡对紫外光有很好的透过率,但随着硫化亚锡含量的增加,薄膜对紫外光的透过率逐渐降低.此外,在硫与锡的物质量之比为1.25时,硫化亚锡半导体的类型均为n型;硫化锡的导电性能差,而硫化亚锡有很好的半导体性能.
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文献信息
篇名 溶胶-凝胶法制备硫化亚锡薄膜及其光电性能
来源期刊 武汉工程大学学报 学科 物理学
关键词 溶胶-凝胶法 硫化亚锡 退火温度 X射线衍射 半导体
年,卷(期) 2015,(12) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 49-52
页数 4页 分类号 O484.4
字数 2440字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1674-2869.2015.12.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 汪洋 武汉工程大学材料科学与工程学院 12 13 2.0 3.0
2 吴艳光 武汉工程大学材料科学与工程学院 14 12 2.0 2.0
3 孙剑 中国地质大学材料与化学学院 10 105 6.0 10.0
4 唐丰 武汉工程大学材料科学与工程学院 1 2 1.0 1.0
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硫化亚锡
退火温度
X射线衍射
半导体
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武汉工程大学学报
双月刊
1674-2869
42-1779/TQ
大16开
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