InGaAs/InP盖革模式雪崩焦平面阵列的研制

• 作者: 兰逸君 卢杰 奚水清 姚科明 张秀川 蒋利群 陈伟 高新江
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 三维成像 单光子 盖革模式 焦平面阵列
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 356-360,391
• 分类号: TN312.7
• 语种: 中文

摘要

设计制作了一种由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与时间计数型CMOS读出电路组成的8×8阵列规格盖革模式雪崩焦平面阵列(GM APD FPA).雪崩光电二极管采用SAGCM结构,在盖革模式下工作具有单光子探测灵敏度;时间计数型CMOS读出电路在每个单元获取光子飞行时间,实现纳秒级的时间分辨率,并完成雪崩淬灭功能.测试结果表明,倒装混合集成的GM APD FPA器件暗计数率(DCR)均值为32.5 kHz,单光子探测效率(PDE)均值为19.5％,单元时间抖动为465 ps,实现了光脉冲时间信息的探测,验证了盖革模式雪崩焦平面阵列技术及其在三维成像中应用的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高新江		10	94	6.0	9.0
2	卢杰		4	20	3.0	4.0
3	奚水清		2	12	1.0	2.0
4	张秀川		3	37	3.0	3.0
5	蒋利群		2	24	2.0	2.0
6	陈伟		2	15	2.0	2.0
7	姚科明		2	15	2.0	2.0
8	兰逸君		2	12	1.0	2.0