L-天门冬氨酸分子印迹电极的制备与性能研究

• 作者: 申贵隽 谷灵燕 赵志伟
• 来源期刊: 分析科学学报
• 学科: 化学
• 关键词: L-天门冬氨酸 分子印迹 差分脉冲伏安法 邻苯二胺
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 797-800
• 分类号: O657.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13526/j.issn.1006-6144.2015.06.012

摘要

以邻苯二胺(OPD)为功能单体,L-天门冬氨酸(L-Asp)为模板分子,对L-Asp分子印迹电极的制备与性能进行了研究,建立了一种新的测定L-Asp的电化学分析方法.用循环伏安(CV)法和差分脉冲伏安(DPV)法研究了该电极的电化学性能,结果表明该分子印迹电极对L Asp分子具有显著的催化还原和选择作用.在pH=5.4的磷酸盐缓冲溶液(PBS)中,还原峰电流与L-Asp的浓度在1.0～50.0mg/L范围内呈良好的线性关系,检出限为0.5 mg/L.该方法操作简便,可用于保健品中L-Asp含量的测定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	申贵隽	大连大学环境与化学工程学院	35	92	6.0	8.0
2	赵志伟	大连大学环境与化学工程学院	8	5	1.0	2.0
3	谷灵燕	大连大学环境与化学工程学院	6	5	1.0	2.0