中国成功研制国产6英寸碳化硅晶片 年产7万片

• 作者: 赵佶
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 经济
• 关键词: 碳化硅晶片 硅单晶 半导体材料 小龙团 光电探测器 功率晶体管 锗半导体 第三代半导体 科合 晶体生长
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（1）
• 页码范围: 36-38
• 页数: 3页
• 分类号: F426.6

摘要

【正】从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底,陈小龙团队花了10多年时间,在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化。不久前,中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司(以下简称天科合达)合作,解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术,成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底。第三代半导体材料上世纪五六十年代,硅和锗构成了第一代半导体材料,主要应用于低压、低频、中功率晶体管以及光电探测器中。相比于锗半导体器件,硅材料制造的半