一种提高SOI电光开关消光比的优化设计

• 作者: 向鹏飞 孙力军 王皓 田自君 瞿鹏飞
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: Si基光子集成 SOI 电光开关 消光比 3D光学仿真
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 375-378
• 分类号: TN253
• 语种: 中文

摘要

针对电流注入型SOI光开关在切换时难以克服的消光比变差的问题,提出了一种非对称的开关结构设计.然后依照实际器件的结构建立了SOI光开关的3D光学模型,对光开关中3D光场传输和输出光功率进行了模拟与分析.最后运用该模型对SOI光开关在电流切换时的消光比变化的问题进行了比较深入的研究,计算结果表明,提出的非对称的开关结构可以将SOI电光开关的消光比提高5 dB左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙力军		33	77	4.0	7.0
2	瞿鹏飞		8	8	2.0	2.0
3	向鹏飞		11	16	2.0	3.0
4	田自君		6	4	1.0	1.0
5	王皓		1	1	1.0	1.0