GaN基半导体光伏电池的制备和特性研究

• 作者: 吕雪芹 应磊莹 张保平 张江勇 蔡晓梅
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN 太阳能电池 结构
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 电池材料
• 页码范围: 665-673
• 页数: 9页
• 分类号: TN364+2
• 字数: 6251字
• 语种: 中文
• DOI: 10.6043/j.issn.0438-0479.2015.05.009

摘要

制备了3种低In组分(即原子分数)的InGaN p-i-n同质结太阳能电池,均显示良好的光伏响应特性,并对电池开路电压随In组分增大而急剧下降的内在机理作了深入分析.而后,改进外延结构采用相同工艺制作InGaN p-i-n异质结太阳能电池,并与同质结太阳能电池进行了对比分析,提出异质结是InGaN电池结构的较好选择.为了扩展太阳光的吸收范围,制作了InGaN多量子阱结构电池,指出合理设计器件结构是今后研究的关键,为进一步的研究发展提供了思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张保平	厦门大学信息科学与技术学院	21	95	5.0	9.0
2	应磊莹	厦门大学信息科学与技术学院	8	6	2.0	2.0
3	张江勇	厦门大学信息科学与技术学院	7	12	2.0	3.0
4	吕雪芹	厦门大学萨本栋微米纳米技术研究院	4	10	2.0	3.0
5	蔡晓梅	集美大学理学院	3	3	1.0	1.0