HBM和HMC技术研究

• 作者: 姚玉良 施得君 钱宇
• 来源期刊: 高性能计算技术
• 学科: 工学
• 关键词: 混合存储立方 高带宽存储器 硅通孔
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 8-12
• 页数: 5页
• 分类号: TP333
• 语种: 中文

摘要

随着集成电路工艺技术的发展,处理器与存储器间性能差距越来越大,3D技术和TSV(硅通孔)技术的不断成熟,为高带宽、大容量的存储器提供了基础,混合存储立方(HMC)和高带宽存储器(HBM)就是其中两种典型的产品.本文主要介绍这两种存储器的组织架构和访存方式等,并对其进行了对比分析,为计算机产品的开发选型提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施得君		4	0	0.0	0.0
2	钱宇		4	0	0.0	0.0
3	姚玉良		13	0	0.0	0.0