TFT-LCD产业中GOA单元不良的研究

• 作者: 刘正 张小祥 袁剑峰 邵喜斌 郭总杰 颉芳霞
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: GOA 静电放电 沟道桥接 沟道开裂 显影效应
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: .材料物理和化学.
• 页码范围: 387-392
• 页数: 6页
• 分类号: TB31
• 字数: 2891字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20153003.0387

摘要

通过对TFT-LCD 制造过程中GOA单元不良原因的研究,提出了改善 GOA单元不良的方法.分析表明静电放电(ESD)的发生在于电容瞬间释放的电流过大,导致过细的金属线熔化；沟道桥接和开裂的发生在于显影效应,显影方向以及图案密度,导致局部区域沟道光刻胶厚度偏厚和偏薄.采用静电分散释放的连线设计,ESD的发生率从5．4％降低到0.04％以下.GOA单元两侧增加测试图样(Dummy Pattern)的设计防止沟道桥接的发生,减压干燥(VCD)抽气曲线的调整和软烘(Soft Bake)底部温度的优化措施防止沟道开裂的发生,沟道桥接和开裂的发生率从13．4％降低到1．22％以下.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭总杰		7	18	2.0	3.0
2	袁剑峰		12	32	4.0	4.0
3	邵喜斌		13	27	3.0	4.0
4	张小祥		3	5	2.0	2.0
5	颉芳霞	江南大学江苏省食品先进制造装备技术重点实验室	6	20	2.0	4.0
6	刘正		2	4	2.0	2.0