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摘要:
【正】日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的TrenchFET 20V N沟道MOSFET—Si8410DB,在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动器中节省空间,降低功耗,并延长电池使用时间。Vishay Siliconix Si8410DB采用芯片级MICRO FOOT封装,高度只有0.54mm,在小尺寸1mm2占位的20V器件中具
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Vishay推新款20V芯片级MOSFET延长电池工作时间
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 芯片级 VISHAY 电池工作时间 电池使用时间 导通电阻 平板电脑 供货周期 负载开关 塑料封装 高速开关
年,卷(期) bdtxx,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 12-12
页数 1页 分类号 TN386
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芯片级
VISHAY
电池工作时间
电池使用时间
导通电阻
平板电脑
供货周期
负载开关
塑料封装
高速开关
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
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11
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