氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用

• 作者: 吴济钧 李国刚 李磊 许立菊
• 来源期刊: 变频技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝基陶瓷覆铜板(AlN DBC基板) 高温氧化工艺 高温键合工艺 电力半导体模块 化学氧化工艺 铜箔 氮化铝陶瓷基片
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 57-61
• 页数: 5页
• 分类号: TN31

摘要

氮化铝（AlN）陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物，具有良好的化学稳定性，因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与铜（Cu）直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板。若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的氧化铝（Al2O3）层后，就能借鉴Cu箔和Al2O3基片高温键合工艺制作性能优良的AlN DBC基板。文中简要阐述了银河公司在制作AlN DBC基板过程中采用的化学氧化法，高温氧化法，循环温差交替降温法，磁控溅射法等工艺技术，还简要介绍了本公司生产的AlN DBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例.