贮存环境对某型霍尔电路性能参数的影响研究

• 作者: 李坤兰 杨少华 王首臻
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 霍尔集成电路 贮存试验 性能参数 T-检验
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 31-35
• 页数: 5页
• 分类号: TN406|TB114.37
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2015.03.007

摘要

在A(寒温）、 B(亚湿热）、 C(亚湿热）、 D(热带海洋）4地的库房内对某型霍尔集成电路开展了为期17年的库房贮存试验，跟踪测试了该型霍尔集成电路的高电平－低电平磁感应强度(工作点） BH－L、低电平－高电平磁感应强度(释放点） BL－H和回差BH等性能参数，并应用T－检验法对4地贮存环境对样品的性能参数的影响进行了分析研究，结果表明各地贮存环境条件对样品的性能参数的影响各不相同。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨少华		12	49	4.0	6.0
2	李坤兰		4	9	2.0	3.0
11	王首臻		1	0	0.0	0.0