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摘要:
对基于GaAs失配衬底的新型红外探测材料InN0.01Sb0.99薄膜的远红外反射光谱,以及制备成光电导器件后的黑体响应和光电流谱进行了测试,获得了80 K温度下,响应峰值约为4.4 μm、半高宽约为3.5 μm、截止波长约为5.7 μm的中波宽带响应红外探测原型器件.研究了退火对InN0.01Sb0.99薄膜光电导器件性能的影响,发现退火能够改善晶体质量,提高器件的响应能力,并减小Moss-Burstein效应的影响.
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文献信息
篇名 InN0.01Sb0.99薄膜的红外反射光谱及探测特性和退火的影响
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 物理学
关键词 InNSb薄膜 红外反射光谱 红外探测器 退火
年,卷(期) 2015,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 437-441
页数 5页 分类号 O472
字数 3881字 语种 中文
DOI 10.11972/j.issn.1001-9014.2015.04.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄亮 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 21 290 6.0 17.0
2 李志锋 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 37 186 8.0 12.0
3 李倩 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 54 361 11.0 17.0
4 陈平平 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 6 8 2.0 2.0
5 刘希辉 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 2 1 1.0 1.0
6 景友亮 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
InNSb薄膜
红外反射光谱
红外探测器
退火
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
出版文献量(篇)
2620
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3
总被引数(次)
28003
论文1v1指导