螯合剂在TSV CMP中对铜膜抛光效果的影响

• 作者: 刘玉岭 张燕 张金 洪姣 牛新环 王辰伟 闫辰奇
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 螯合剂 硅通孔(TSV)技术 碱性抛光液 去除速率 粗糙度
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 791-794
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.12.008

摘要

化学机械抛光(CMP)是硅通孔(TSV)工艺中的关键步骤之一,抛光工艺和抛光液是影响抛光效果的两大决定因素.主要研究了抛光液中螯合剂在TSV CMP中对铜膜去除速率及抛光后铜膜表面粗糙度的影响,由实验结果可知,随着抛光液中螯合剂体积分数的增加,铜膜去除速率先增加后趋于平衡,螯合剂体积分数为5％时铜膜的去除速率最大,约为1 450 nm/min;随着抛光液中螯合剂体积分数的增加,抛光后铜膜表面粗糙度先减小后增大,螯合剂体积分数为5％时铜膜表面粗糙度最小,约为1.77 nm.